HL8511/21

南宫NG·28

HL8511/21系列属于e-Fuse产品系列，该芯片旨在保护输出(OUT)上的电路免受电源总线(IN)上的瞬变和大浪涌电流的不良影响，保护电源总线免受意外输出短路或发生过载的影响。当输出上升时，该芯片通过限制输出电压的压摆率来限制浪涌电流。压摆率是由SS引脚的一个小电容控制，一个内部小电流源为SS引脚的外部电容充电，输出电压以恒定的比率跟踪SS引脚的电压，直到内部功率MOSFET完全导通。当用户让SS引脚悬空时，输出的典型上升时间为0.4ms。电流限制水平可以通过连接在ISET引脚和地之间的外部电阻器来设定，该芯片内部采用电荷泵驱动功率MOSFET的栅极，该MOS具有非常低的导通电阻，仅为23mΩ。当输出电流超过限流设置时，该设备可调节功率MOSFET开关，以将输出电流箝位在设置水平。限流电路的启动会导致设备的功耗增加，设备的热累积可能会触发热关断，从而关闭功率MOSFET。HL8511FN01在芯片计时到达自动重启延迟时间(tTSD dly)时，将再次尝试打开功率MOSFET；而HL8511FN02在触发热关断后，将关闭和锁定功率MOSFET，除非输入电压重新上电或重新使能EN引脚。输出过压事件由内部箝位电路限制在安全的固定最大值，无需外部元件。对于过压保护(OVP)，HL8511提供12V系统。

产品规格书

查看产品数据

产品特性
参数
应用场景
相关产品
其他信息

- 商品名称: HL8511/21
- 产品名称: 12V/5V输入电压，5A连续电流的E-Fuse负载开关芯片
- 产品简介: HL8511/21系列属于e-Fuse产品系列，该芯片旨在保护输出(OUT)上的电路免受电源总线(IN)上的瞬变和大浪涌电流的不良影响，保护电源总线免受意外输出短路或发生过载的影响。当输出上升时，该芯片通过限制输出电压的压摆率来限制浪涌电流。压摆率是由SS引脚的一个小电容控制，一个内部小电流源为SS引脚的外部电容充电，输出电压以恒定的比率跟踪SS引脚的电压，直到内部功率MOSFET完全导通。当用户让SS引脚悬空时，输出的典型上升时间为0.4ms。电流限制水平可以通过连接在ISET引脚和地之间的外部电阻器来设定，该芯片内部采用电荷泵驱动功率MOSFET的栅极，该MOS具有非常低的导通电阻，仅为23mΩ。当输出电流超过限流设置时，该设备可调节功率MOSFET开关，以将输出电流箝位在设置水平。限流电路的启动会导致设备的功耗增加，设备的热累积可能会触发热关断，从而关闭功率MOSFET。HL8511FN01在芯片计时到达自动重启延迟时间(tTSD dly)时，将再次尝试打开功率MOSFET；而HL8511FN02在触发热关断后，将关闭和锁定功率MOSFET，除非输入电压重新上电或重新使能EN引脚。输出过压事件由内部箝位电路限制在安全的固定最大值，无需外部元件。对于过压保护(OVP)，HL8511提供12V系统。
- 集成 23mΩ内阻的功率场效应管
- 工作电压范围：4.5-13.8V
- 输出过压钳位：16V最大钳位电压
- 热故障保护
- HL8511FN01：自动重启

- HL8511FN02：关闭锁存
- 升压输出的压摆率可编程
- 可编程的UVLO
- 可编程的高精度电流限制：1A至5A
- 符合IEC 62368标准(单点故障和附件G.9)
- 采用DFN-10，尺寸为长3mm x 3mm
- 副标题
  - 副标题
- 服务器
- SSD
- POS
- USB接口
如需完整版datasheet，请通过sales.cn@halomicro.com提交申请。

如需更多样品信息，请通过 获取样品 提交申请，

或者通过marketing@gl-zd.com邮件提出您的需求。

公司微信公众号

南宫NG·28

HL8511/21

南宫NG·28

Message